RURP860-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
RURP860-HXY
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置， 额定正向电流IF为8A， 最大反向重复电压VR达600V， 正向压降VF典型值为1.5V， 反向漏电流IR低至10μA， 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流IFSM可达100A， 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合， 能够有效降低系统损耗并提升整体运行效率。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-220C-2L
Stock
21
货期
现货
RURP860-HXYParameters
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 21 |
RURP860-HXY概述
该快恢复/高效率二极管采用独立式配置， 额定正向电流IF为8A， 最大反向重复电压VR达600V， 正向压降VF典型值为1.5V， 反向漏电流IR低至10μA， 具备优异的导通与阻断特性。 其非重复峰值正向浪涌电流IFSM可达100A， 适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换及高频整流场合， 能够有效降低系统损耗并提升整体运行效率。
RURP860-HXY特性
暂无产品特性。
RURP860-HXY应用领域
暂无应用领域。