RURD660S9A-F085P-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RURD660S9A-F085P-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA, 非重复浪涌正向电流可达48A。 凭借碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下仍保持较低的导通损耗和稳定的反向阻断能力, 适用于高效率电源转换系统, 如开关电源、功率因数校正模块及高频整流电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
32
货期
现货
RURD660S9A-F085P-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 32 |
RURD660S9A-F085P-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流为6A, 反向重复峰值电压为650V, 正向压降典型值为1.3V, 反向漏电流为50μA, 非重复浪涌正向电流可达48A。 凭借碳化硅材料的物理特性, 器件在高频工作条件下仍保持较低的导通损耗和稳定的反向阻断能力, 适用于高效率电源转换系统, 如开关电源、功率因数校正模块及高频整流电路等场景。
RURD660S9A-F085P-HXY特性
暂无产品特性。
RURD660S9A-F085P-HXY应用领域
暂无应用领域。
