RUR020N02TL
自营可供
IC
TSMT-3
RUR020N02TL
场效应管(MOSFET) 540mW 20V 2A 1个N沟道
品牌
ROHM
封装
TSMT-3
交期
现货
批次
两年内
RUR020N02TL参数
| 封装 | TSMT-3 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 180pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 14,900 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
RUR020N02TL概述
场效应管(MOSFET) 540mW 20V 2A 1个N沟道