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RUM001L02T2CL(ES)
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IC

SOT-723

RUM001L02T2CL(ES)

RUM001L02T2CL(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

品牌

ElecSuper

封装

SOT-723

交期

现货

批次

26+

RUM001L02T2CL(ES)参数

封装SOT-723
品牌ElecSuper(静芯微)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))150mΩ@4.5V; 200mΩ@2.5V
阈值电压(Vgs(th))650mV
输入电容(Ciss)60pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±10V
分类场效应管(MOSFET)
库存7,898
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)230mW
栅极电荷量(Qg)1nC@4.5V
反向传输电容(Crss)12pF
输出电容(Coss)22pF

RUM001L02T2CL(ES)概述

RUM001L02T2CL(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。 采用先进的沟槽技术和设计, 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。 该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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