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RUH4040M2
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IC

DFN-8L(3x3)

RUH4040M2

品牌

JSMSEMI

封装

DFN-8L(3x3)

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RUH4040M2参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌JSMSEMI(杰盛微)
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)36.7W
栅极电荷量(Qg)13.1nC
反向传输电容(Crss)8pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
分类场效应管(MOSFET)
库存10,000
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))5.7mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.6V
输入电容(Ciss)850pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)254pF

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