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RUE002N02TL
自营可供
IC

SOT-416F

RUE002N02TL

场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道

品牌

ROHM

封装

SOT-416F

交期

现货

批次

26+

RUE002N02TL参数

封装SOT-416F
品牌ROHM(罗姆)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))4.8Ω@1.2V
阈值电压(Vgs(th))1V
反向传输电容(Crss)10pF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存30,001
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)150mW
输入电容(Ciss)25pF
工作温度-55℃~+150℃

RUE002N02TL概述

场效应管(MOSFET) 150mW 20V 200mA 1个N沟道

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