RUE002N02-HXY
IC
SOT-523
可供量大可议
RUE002N02-HXY
此场效应管为N型， 电流为0.8A， 适用于低功率场景。 电压20V， 能在特定电压区间稳定运行。 内阻典型值100mR。 VGS为8V。 在消费电子领域， 可用于一些小功率电子设备的电流调控。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-523
库存
440
货期
现货
RUE002N02-HXY参数
| 封装 | SOT-523 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 440 |
RUE002N02-HXY概述
此场效应管为N型， 电流为0.8A， 适用于低功率场景。 电压20V， 能在特定电压区间稳定运行。 内阻典型值100mR。 VGS为8V。 在消费电子领域， 可用于一些小功率电子设备的电流调控。
RUE002N02-HXY特性
暂无产品特性。
RUE002N02-HXY应用领域
暂无应用领域。