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RU6099S-R
IC

TO-263

可供量大可议

RU6099S-R

特性:60V/120A, 导通电阻RDS(ON)=6mΩ(典型值), 栅源电压VGS=10V。 超低导通电阻。 出色的dv/dt能力。 快速开关, 完全雪崩额定。 100%雪崩测试。 工作温度175℃。 应用:开关应用系统。 逆变器系统

品牌

Ruichips

封装

TO-263

库存

20

货期

现货

RU6099S-R参数

封装TO-263
品牌Ruichips(锐骏半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

RU6099S-R概述

特性:60V/120A, 导通电阻RDS(ON)=6mΩ(典型值), 栅源电压VGS=10V。 超低导通电阻。 出色的dv/dt能力。 快速开关, 完全雪崩额定。 100%雪崩测试。 工作温度175℃。 应用:开关应用系统。 逆变器系统

RU6099S-R特性

暂无产品特性。

RU6099S-R应用领域

暂无应用领域。

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