RU40L10H-VB
IC
SO-8
可供量大可议
RU40L10H-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于多种电源模块。 SOP8； P—Channel沟道, -40V； -8A； RDS(ON)=17.6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
Brand
VBsemi
Package
SO-8
Stock
40
货期
现货
RU40L10H-VBParameters
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
RU40L10H-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于多种电源模块。 SOP8； P—Channel沟道, -40V； -8A； RDS(ON)=17.6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
RU40L10H-VB特性
暂无产品特性。
RU40L10H-VB应用领域
暂无应用领域。