RU205B-VB
IC
SOT-23(TO-236)
可供量大可议
RU205B-VB
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N型场效应晶体管， 适用于多种应用场景。 采用Trench工艺制造； 可用作开关电源的关键部件， 驱动汽车电子系统中的各种负载， 控制和驱动各种工业设备和机器人系统。 SOT23； N—Channel沟道, 20V； 6A； RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.45~1V
品牌
VBsemi
封装
SOT-23(TO-236)
库存
300
货期
现货
RU205B-VB参数
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:20V 电流:6A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 300 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V； 28mΩ@2.5V； 39mΩ@1.8V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 865pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
| 商品型号 | RU205B-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 5.4e-05 |
RU205B-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N型场效应晶体管， 适用于多种应用场景。 采用Trench工艺制造； 可用作开关电源的关键部件， 驱动汽车电子系统中的各种负载， 控制和驱动各种工业设备和机器人系统。 SOT23； N—Channel沟道, 20V； 6A； RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.45~1V
RU205B-VB特性
- 根据IEC 61249-2-21定义, 无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
RU205B-VB应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 便携式应用负载开关