RU1L002SN-TP
IC
SOT-323
可供量大可议
RU1L002SN-TP
特性：低导通电阻。 ESD保护栅极高达2kV HBM。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。 应用：N沟道增强型效应晶体管。 开关应用
品牌
TECH PUBLIC
封装
SOT-323
库存
2,700
货期
现货
RU1L002SN-TP参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | TECH PUBLIC(台舟) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2700 |
RU1L002SN-TP概述
特性：低导通电阻。 ESD保护栅极高达2kV HBM。 高速开关。 驱动电路简单。 易于并联使用。 应用：N沟道增强型效应晶体管。 开关应用
RU1L002SN-TP特性
暂无产品特性。
RU1L002SN-TP应用领域
暂无应用领域。