RU1H130S-VB
IC
TO-263
可供量大可议
RU1H130S-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域， 为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 140A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-263
库存
17
货期
现货
RU1H130S-VB参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
RU1H130S-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域， 为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。 TO263； N—Channel沟道, 100V； 140A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~4V
RU1H130S-VB特性
暂无产品特性。
RU1H130S-VB应用领域
暂无应用领域。