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RTR020N05TL
IC

TSMT-3

可供量大可议

RTR020N05TL

场效应管(MOSFET) 1W 45V 2A 1个N沟道

品牌

ROHM

封装

TSMT-3

库存

15,002

货期

现货

RTR020N05TL参数

封装TSMT-3
品牌ROHM(罗姆)
批次24+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))180mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1.5V
输入电容(Ciss)200pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)45pF
分类场效应管(MOSFET)
库存15,002
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)45V
耗散功率(Pd)1W
栅极电荷量(Qg)4.1nC@4.5V
反向传输电容(Crss)25pF
类型N沟道

RTR020N05TL概述

场效应管(MOSFET) 1W 45V 2A 1个N沟道

RTR020N05TL特性

暂无产品特性。

RTR020N05TL应用领域

暂无应用领域。

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