RT2519WGQV
IC
VDFN-8AL(3x3)
可供量大可议
RT2519WGQV
是高性能正低压差(LDO)稳压器, 适用于要求非常低的压差和高达1A的超高电源纹波抑制比(PSRR)的应用。 输入电压范围为2.2V至6V, 输出电压可编程低至0.8V。 P-MOSFET开关仅需4.7μF陶瓷输出电容即可提供出色的瞬态响应。 外部使能控制可有效降低关断时的功耗, 通过NR引脚上的旁路电容可进一步提高输出抗噪性。 此外, 在负载、线路和温度变化时, 输出调节精度为±3%。 该器件采用VDFN-8Al 3x3封装, 工作温度范围为 -40°C至125°C。
品牌
RICHTEK
封装
VDFN-8AL(3x3)
库存
2,979
货期
现货
RT2519WGQV参数
| 封装 | VDFN-8AL(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | RICHTEK(立锜) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 线性稳压器(LDO) |
|---|---|
| 库存 | 2979 |
RT2519WGQV概述
是高性能正低压差(LDO)稳压器, 适用于要求非常低的压差和高达1A的超高电源纹波抑制比(PSRR)的应用。 输入电压范围为2.2V至6V, 输出电压可编程低至0.8V。 P-MOSFET开关仅需4.7μF陶瓷输出电容即可提供出色的瞬态响应。 外部使能控制可有效降低关断时的功耗, 通过NR引脚上的旁路电容可进一步提高输出抗噪性。 此外, 在负载、线路和温度变化时, 输出调节精度为±3%。 该器件采用VDFN-8Al 3x3封装, 工作温度范围为 -40°C至125°C。
RT2519WGQV特性
暂无产品特性。
RT2519WGQV应用领域
暂无应用领域。
