RT2519GQV(2)
IC
VDFN-8(3x3)
可供量大可议
RT2519GQV(2)
是一款高性能正低压差 (LDO) 稳压器, 适用于要求极低压差和高达 1A 时超高电源纹波抑制 (PSRR) 的应用。 输入电压范围为 2.2V 至 6V, 输出电压可编程低至 0.8V。 P-MOSFET 开关仅需 4.7μF 陶瓷输出电容即可提供出色的瞬态响应。 外部使能控制可有效降低关断时的功耗, 并通过 NR 引脚上的旁路电容实现进一步的输出抗噪性。 此外, 该稳压器在线路、负载和温度变化时具有精确的 3% 输出调节能力。 该器件采用 VDFN-8AL 3x3 封装, 工作温度范围为 -40°C 至 125°C。
品牌
RICHTEK
封装
VDFN-8(3x3)
库存
168
货期
现货
RT2519GQV(2)参数
| 封装 | VDFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | RICHTEK(立锜) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 线性稳压器(LDO) |
|---|---|
| 库存 | 168 |
RT2519GQV(2)概述
是一款高性能正低压差 (LDO) 稳压器, 适用于要求极低压差和高达 1A 时超高电源纹波抑制 (PSRR) 的应用。 输入电压范围为 2.2V 至 6V, 输出电压可编程低至 0.8V。 P-MOSFET 开关仅需 4.7μF 陶瓷输出电容即可提供出色的瞬态响应。 外部使能控制可有效降低关断时的功耗, 并通过 NR 引脚上的旁路电容实现进一步的输出抗噪性。 此外, 该稳压器在线路、负载和温度变化时具有精确的 3% 输出调节能力。 该器件采用 VDFN-8AL 3x3 封装, 工作温度范围为 -40°C 至 125°C。
RT2519GQV(2)特性
暂无产品特性。
RT2519GQV(2)应用领域
暂无应用领域。
