RSS100N03FRATB-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备优良的电性能和稳定性， 适用于多种高效电子系统。 其主要参数包括：漏极电流ID为13A， 漏源电压VDSS为30V， 导通电阻RDON为9.5mΩ， 能够有效降低导通损耗， 提高系统整体效率。 该器件具有快速响应、高可靠性等特点， 适合用于电源管理、DC-DC转换、电池保护电路及高性能电子设备中， 满足对能效与空间布局有较高要求的应用场景。