RSS090P03TB-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为12A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻典型值10mΩ。 器件在低栅极驱动电压下即可实现高效导通， 显著降低传导损耗与温升。 适用于电池保护电路、负载开关及便携式设备电源管理模块， 满足对空间紧凑与高能效有严格要求的消费类电子应用场景。