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RSS090P03FU7TB-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

RSS090P03FU7TB-HXY

该P沟道场效应管额定漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻为10毫欧。 器件在30V电压范围内提供可靠的反向极性保护与负载切换功能, 10毫欧的导通特性有助于降低通路压降。 适用于智能手机电源路径管理、可穿戴设备电池开关、手持仪器供电控制及便携式消费电子的电路保护设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

40

货期

现货

RSS090P03FU7TB-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

RSS090P03FU7TB-HXY概述

该P沟道场效应管额定漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻为10毫欧。 器件在30V电压范围内提供可靠的反向极性保护与负载切换功能, 10毫欧的导通特性有助于降低通路压降。 适用于智能手机电源路径管理、可穿戴设备电池开关、手持仪器供电控制及便携式消费电子的电路保护设计。

RSS090P03FU7TB-HXY特性

暂无产品特性。

RSS090P03FU7TB-HXY应用领域

暂无应用领域。

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