RSS090P03FU7TB-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
RSS090P03FU7TB-HXY
该P沟道场效应管额定漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻为10毫欧。 器件在30V电压范围内提供可靠的反向极性保护与负载切换功能, 10毫欧的导通特性有助于降低通路压降。 适用于智能手机电源路径管理、可穿戴设备电池开关、手持仪器供电控制及便携式消费电子的电路保护设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
RSS090P03FU7TB-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
RSS090P03FU7TB-HXY概述
该P沟道场效应管额定漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻为10毫欧。 器件在30V电压范围内提供可靠的反向极性保护与负载切换功能, 10毫欧的导通特性有助于降低通路压降。 适用于智能手机电源路径管理、可穿戴设备电池开关、手持仪器供电控制及便携式消费电子的电路保护设计。
RSS090P03FU7TB-HXY特性
暂无产品特性。
RSS090P03FU7TB-HXY应用领域
暂无应用领域。
