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RSS090P03FU6TB-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

RSS090P03FU6TB-HXY

该P沟道场效应管漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻10毫欧。 其参数特性适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及液晶显示背光驱动电路。 作为高侧开关, 该器件在低压直流系统中能有效控制电流流向, 常与N沟道器件配合构建同步整流拓扑, 优化电路板布局, 满足消费电子对功耗控制与空间集成度的严格要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

40

货期

现货

RSS090P03FU6TB-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

RSS090P03FU6TB-HXY概述

该P沟道场效应管漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻10毫欧。 其参数特性适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及液晶显示背光驱动电路。 作为高侧开关, 该器件在低压直流系统中能有效控制电流流向, 常与N沟道器件配合构建同步整流拓扑, 优化电路板布局, 满足消费电子对功耗控制与空间集成度的严格要求。

RSS090P03FU6TB-HXY特性

暂无产品特性。

RSS090P03FU6TB-HXY应用领域

暂无应用领域。

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