RSS090P03FU6TB-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
RSS090P03FU6TB-HXY
该P沟道场效应管漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻10毫欧。 其参数特性适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及液晶显示背光驱动电路。 作为高侧开关, 该器件在低压直流系统中能有效控制电流流向, 常与N沟道器件配合构建同步整流拓扑, 优化电路板布局, 满足消费电子对功耗控制与空间集成度的严格要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
40
货期
现货
RSS090P03FU6TB-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
RSS090P03FU6TB-HXY概述
该P沟道场效应管漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻10毫欧。 其参数特性适用于笔记本电脑电源管理、便携式设备电池保护及液晶显示背光驱动电路。 作为高侧开关, 该器件在低压直流系统中能有效控制电流流向, 常与N沟道器件配合构建同步整流拓扑, 优化电路板布局, 满足消费电子对功耗控制与空间集成度的严格要求。
RSS090P03FU6TB-HXY特性
暂无产品特性。
RSS090P03FU6TB-HXY应用领域
暂无应用领域。
