RSS065N06-TB-VB
IC
SO-8
可供量大可议
RSS065N06-TB-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 具有较高的工作稳定性和可靠性， 适用于需要中小功率场效应管的应用场景， 例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。 SOP8； N—Channel沟道, 60V； 7.6A； RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.5V
Brand
VBsemi
Package
SO-8
Stock
50
货期
现货
RSS065N06-TB-VBParameters
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:7.6A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V； 35mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
| 商品型号 | RSS065N06-TB-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000167 |
RSS065N06-TB-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单通道N沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 具有较高的工作稳定性和可靠性， 适用于需要中小功率场效应管的应用场景， 例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。 SOP8； N—Channel沟道, 60V； 7.6A； RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.2~2.5V
RSS065N06-TB-VB特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤标准
- 沟槽功率 MOSFET
- 针对“低端”同步整流器操作进行优化
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 提供符合 RoHS 标准的无卤产品
RSS065N06-TB-VB应用领域
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)逆变器