RSQ030N08HZGTR
IC
SOT-23-6
可供量大可议
RSQ030N08HZGTR
特性：低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小型表面贴装封装（TSMT6）。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 通过AEC-Q101认证。 应用：开关
品牌
ROHM
封装
SOT-23-6
库存
54
货期
现货
RSQ030N08HZGTR参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | RSQ030N08HZGTR |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 2.5e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 54 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 131mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 输入电容(Ciss) | 550pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:80V 电流:3A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
RSQ030N08HZGTR概述
特性：低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小型表面贴装封装（TSMT6）。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 通过AEC-Q101认证。 应用：开关
RSQ030N08HZGTR特性
- 低导通电阻
- 内置栅源(G-S)保护二极管
- 小尺寸表面贴装封装(TSMT6)
- 引脚无铅电镀
- 符合RoHS标准
- 通过AEC-Q101认证
RSQ030N08HZGTR应用领域
- 开关应用