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RSM002N06T2L
自营可供
IC

SOT-723

RSM002N06T2L

场效应管(MOSFET) 150mW 60V 250mA 1个N沟道

品牌

ROHM

封装

SOT-723

交期

现货

批次

两年内

RSM002N06T2L参数

封装SOT-723
品牌ROHM(罗姆)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))2.4Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))1V
反向传输电容(Crss)2pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号RSM002N06T2L
单位个
商品重量8.211e-06
分类场效应管(MOSFET)
库存13,589
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)150mW
输入电容(Ciss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)4.5pF
商品名称1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)

RSM002N06T2L概述

场效应管(MOSFET) 150mW 60V 250mA 1个N沟道

RSM002N06T2L特性

  • 高速开关
  • 小封装(VMT3)
  • 低电压驱动(2.5V驱动)

RSM002N06T2L应用领域

  • 开关

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