RSH070P05GZETB-VB
IC
SOP-8
可供量大可议
RSH070P05GZETB-VB
台积电流片， 长电科技封装； SOP8； P—Channel沟道, -40V； -8A； RDS(ON)=17.6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V； 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于多种电源模块。
品牌
VBsemi
封装
SOP-8
库存
10
货期
现货
RSH070P05GZETB-VB参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
RSH070P05GZETB-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； SOP8； P—Channel沟道, -40V； -8A； RDS(ON)=17.6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V； 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管， 采用Trench工艺， 适用于多种电源模块。
RSH070P05GZETB-VB特性
暂无产品特性。
RSH070P05GZETB-VB应用领域
暂无应用领域。