RSD221N06TL-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
RSD221N06TL-HXY
该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 栅源电压耐受值20V, 支持50A连续漏极电流, 导通电阻典型值15mΩ。 低导通损耗与高电流承载能力使其适用于大功率直流变换器、电池储能系统及电机驱动模块。 在高频开关应用中, 该器件能有效降低热耗散, 提升电源转换效率, 适合对功率密度和能效有严格要求的电子设备, 如高性能计算电源及大型照明阵列。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L
库存
47
货期
现货
RSD221N06TL-HXY参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
RSD221N06TL-HXY概述
该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 栅源电压耐受值20V, 支持50A连续漏极电流, 导通电阻典型值15mΩ。 低导通损耗与高电流承载能力使其适用于大功率直流变换器、电池储能系统及电机驱动模块。 在高频开关应用中, 该器件能有效降低热耗散, 提升电源转换效率, 适合对功率密度和能效有严格要求的电子设备, 如高性能计算电源及大型照明阵列。
RSD221N06TL-HXY特性
暂无产品特性。
RSD221N06TL-HXY应用领域
暂无应用领域。
