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RSD221N06TL-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

RSD221N06TL-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 栅源电压耐受值20V, 支持50A连续漏极电流, 导通电阻典型值15mΩ。 低导通损耗与高电流承载能力使其适用于大功率直流变换器、电池储能系统及电机驱动模块。 在高频开关应用中, 该器件能有效降低热耗散, 提升电源转换效率, 适合对功率密度和能效有严格要求的电子设备, 如高性能计算电源及大型照明阵列。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-252-2L

库存

47

货期

现货

RSD221N06TL-HXY参数

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

RSD221N06TL-HXY概述

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 栅源电压耐受值20V, 支持50A连续漏极电流, 导通电阻典型值15mΩ。 低导通损耗与高电流承载能力使其适用于大功率直流变换器、电池储能系统及电机驱动模块。 在高频开关应用中, 该器件能有效降低热耗散, 提升电源转换效率, 适合对功率密度和能效有严格要求的电子设备, 如高性能计算电源及大型照明阵列。

RSD221N06TL-HXY特性

暂无产品特性。

RSD221N06TL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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