RSD175N10TL-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）额定漏极电流为20安培， 漏源击穿电压达100伏， 导通电阻为80毫欧。 器件凭借较高的电流承载能力与较低的导通损耗， 适用于中高功率直流电机驱动、电池管理系统及开关电源转换电路。 在负载开关与同步整流应用中， 其参数组合有助于提升系统能效并优化热管理设计， 满足各类电子设备对功率控制组件的性能需求。