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RSD050N10TL-VB
IC

TO-252

可供量大可议

RSD050N10TL-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型场效应管, 适用于多种应用场景, 采用Trench工艺, 适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。 TO252; N—Channel沟道, 100V; 15A; RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3.5V

Brand

VBsemi

Package

TO-252

Stock

10

货期

现货

RSD050N10TL-VBParameters

封装TO-252
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

RSD050N10TL-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型场效应管, 适用于多种应用场景, 采用Trench工艺, 适用于电源管理模块、家用电器控制、工业自动化控制等领域。 TO252; N—Channel沟道, 100V; 15A; RDS(ON)=114mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1~3.5V

RSD050N10TL-VB特性

暂无产品特性。

RSD050N10TL-VB应用领域

暂无应用领域。

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