RS2G32LV4D4BDT-46IT
IC
BGA-200(10x14.5)
可供量大可议
RS2G32LV4D4BDT-46IT
8GB LPDDR4
品牌
Rayson
封装
BGA-200(10x14.5)
库存
1
货期
现货
RS2G32LV4D4BDT-46IT参数
| 封装 | BGA-200(10x14.5) |
|---|---|
| 品牌 | Rayson(晶存) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
| 刷新电流 | 1.16mA |
| 商品型号 | RS2G32LV4D4BDT-46IT |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000538 |
| 分类 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
| 存储容量 | 64Gbit |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V； 570mV~650mV； 1.06V~1.17V |
| 工作电流 | 205mA |
| 商品名称 | 8GB LPDDR4 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) |
RS2G32LV4D4BDT-46IT概述
16Gb移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一款高速CMOS动态随机存取存储器。 这款8存储体器件内部配置为×16输入/输出。
RS2G32LV4D4BDT-46IT特性
- 超低电压核心与输入/输出电源
- VDD1 = 1.70
- 1.95V
- 标称值1.80V
- VDD2 = 1.06
- 1.17V
- 标称值1.10V
- VDDQ = 0.57
- 0.65V
- 标称值0.60V
- 或VDDQ = 1.06
- 1.17V
- 标称值1.10V
- 频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mb/s）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道8个内部存储体， 支持并发操作
- 单数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程和动态突发长度
- 定向每存储体刷新， 便于并发存储体操作和命令调度
- 每芯片×16通道最高可达8.53 GB/s
- 片上温度传感器， 用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 可编程Vss(ODT)端接
- 支持单端时钟与数据选通
RS2G32LV4D4BDT-46IT应用领域
暂无应用领域。