RS1L180GNTB-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为3.7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统整体效率， 适用于高电流开关应用， 如直流-直流转换器、电机控制电路及大功率电源模块等。 器件在高频开关条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能， 适合对功率密度和可靠性有较高要求的电子设备。