RS1E301GNTB1-HXY

该N沟道MOSFET支持150A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至1.4毫欧， 栅源电压额定值为20V。 其超低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在大电流应用中保持较高的能效和较低的温升。 适用于高效率电源转换、电池充放电控制、电动工具驱动以及对功率处理能力和热性能有较高要求的电子系统。