RS1E281BNTB1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
RS1E281BNTB1-HXY
该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为1.4毫欧， 栅源驱动电压额定值为20V。 其极低的RDS(ON)显著降低导通损耗， 在大电流工作条件下仍能维持高效能表现。 适用于高功率密度的电源转换、电池管理系统、电动工具及各类需要高效率开关操作的电子设备中， 能够有效提升系统整体性能与热管理能力。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
RS1E281BNTB1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
RS1E281BNTB1-HXY概述
该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为1.4毫欧， 栅源驱动电压额定值为20V。 其极低的RDS(ON)显著降低导通损耗， 在大电流工作条件下仍能维持高效能表现。 适用于高功率密度的电源转换、电池管理系统、电动工具及各类需要高效率开关操作的电子设备中， 能够有效提升系统整体性能与热管理能力。
RS1E281BNTB1-HXY特性
暂无产品特性。
RS1E281BNTB1-HXY应用领域
暂无应用领域。