RS1E280BNTB-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
RS1E280BNTB-HXY
该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为1.4毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 低RDS(ON)有效降低导通损耗， 在大电流工作状态下仍能保持优异的热性能。 适用于高效率、高功率密度的电源转换与配电系统， 能够满足对动态响应和能效要求严苛的电子设备需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
RS1E280BNTB-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
RS1E280BNTB-HXY概述
该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为1.4毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 低RDS(ON)有效降低导通损耗， 在大电流工作状态下仍能保持优异的热性能。 适用于高效率、高功率密度的电源转换与配电系统， 能够满足对动态响应和能效要求严苛的电子设备需求。
RS1E280BNTB-HXY特性
暂无产品特性。
RS1E280BNTB-HXY应用领域
暂无应用领域。