RS1E170GNTB-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
RS1E170GNTB-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 适用于高电流、高效率要求的电源管理、电池供电系统及中低电压开关应用。 器件在大电流工作条件下仍能维持较低温升， 适合对热性能和功率密度有较高需求的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
48
货期
现货
RS1E170GNTB-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 48 |
RS1E170GNTB-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其极低的导通电阻有效降低导通损耗， 适用于高电流、高效率要求的电源管理、电池供电系统及中低电压开关应用。 器件在大电流工作条件下仍能维持较低温升， 适合对热性能和功率密度有较高需求的电路设计。
RS1E170GNTB-HXY特性
暂无产品特性。
RS1E170GNTB-HXY应用领域
暂无应用领域。