RRS090P03HZGTB-HXY
IC
SOP-8
可供量大可议
RRS090P03HZGTB-HXY
该P沟道场效应管额定漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻为10毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 在便携式设备供电切换与电机驱动控制中, 能实现高效电流通断, 满足对空间布局紧凑及热性能有要求的电子系统设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOP-8
库存
47
货期
现货
RRS090P03HZGTB-HXY参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
RRS090P03HZGTB-HXY概述
该P沟道场效应管额定漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻为10毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 在便携式设备供电切换与电机驱动控制中, 能实现高效电流通断, 满足对空间布局紧凑及热性能有要求的电子系统设计需求。
RRS090P03HZGTB-HXY特性
暂无产品特性。
RRS090P03HZGTB-HXY应用领域
暂无应用领域。
