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RRS090P03HZGTB-HXY
IC

SOP-8

可供量大可议

RRS090P03HZGTB-HXY

该P沟道场效应管额定漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻为10毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 在便携式设备供电切换与电机驱动控制中, 能实现高效电流通断, 满足对空间布局紧凑及热性能有要求的电子系统设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOP-8

库存

47

货期

现货

RRS090P03HZGTB-HXY参数

封装SOP-8
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存47

RRS090P03HZGTB-HXY概述

该P沟道场效应管额定漏极电流12A, 漏源击穿电压30V, 导通电阻为10毫欧。 器件凭借低导通损耗特性, 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 在便携式设备供电切换与电机驱动控制中, 能实现高效电流通断, 满足对空间布局紧凑及热性能有要求的电子系统设计需求。

RRS090P03HZGTB-HXY特性

暂无产品特性。

RRS090P03HZGTB-HXY应用领域

暂无应用领域。

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