RQJ0303PGDQATL-E-VB
自营可供
IC
SOT-23(TO-236)
RQJ0303PGDQATL-E-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一种单路P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于各种不同的领域和模块， 例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23； P—Channel沟道, -30V； -5.6A； RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-0.5~-2V
品牌
VBsemi
封装
SOT-23(TO-236)
交期
现货
批次
—
RQJ0303PGDQATL-E-VB参数
| 封装 | SOT-23(TO-236) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
| 商品型号 | RQJ0303PGDQATL-E-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000107 |
RQJ0303PGDQATL-E-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一种单路P沟道场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于各种不同的领域和模块， 例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23； P—Channel沟道, -30V； -5.6A； RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-0.5~-2V
RQJ0303PGDQATL-E-VB特性
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
RQJ0303PGDQATL-E-VB应用领域
- 用于移动计算
- 负载开关
- 笔记本电脑适配器开关
- DC/DC 转换器