RQ5E050ATTCL-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）， 可承受最高20V的栅源电压（VGS）， 导通状态下漏极电流可达10A。 其导通电阻（RDON）低至14毫欧， 有助于降低导通损耗， 提高系统效率。 适用于电源管理、开关电路及直流电机控制等场景， 支持高频开关操作， 为高效能、紧凑型电子设备提供可靠支持。