RQ3E180AJTB1-HXY

该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至3.5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升整体效率， 在高电流开关应用中表现优异。 器件适用于对功率密度和热性能有较高要求的场景， 可有效支持电源管理、电机驱动及各类高效能电子系统中的功率转换需求。