RQ3E160ADTB1-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
RQ3E160ADTB1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。 凭借极低的导通损耗， 该器件适用于高效率、大电流的电源转换系统， 如开关电源、电池供电设备及电机驱动等场景。 其优异的导通特性和高电流承载能力有助于提升系统整体能效， 并在高频开关应用中保持稳定性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
40
货期
现货
RQ3E160ADTB1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
RQ3E160ADTB1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。 凭借极低的导通损耗， 该器件适用于高效率、大电流的电源转换系统， 如开关电源、电池供电设备及电机驱动等场景。 其优异的导通特性和高电流承载能力有助于提升系统整体能效， 并在高频开关应用中保持稳定性能。
RQ3E160ADTB1-HXY特性
暂无产品特性。
RQ3E160ADTB1-HXY应用领域
暂无应用领域。