RQ3E150MNTB1-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
RQ3E150MNTB1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于减小导通损耗， 提升系统效率， 同时支持较高的开关频率。 适用于高效率电源转换、电机驱动及大电流开关电路等应用， 在紧凑型设计中可有效降低温升并提高功率密度。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
RQ3E150MNTB1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
RQ3E150MNTB1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有55A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）， 以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于减小导通损耗， 提升系统效率， 同时支持较高的开关频率。 适用于高效率电源转换、电机驱动及大电流开关电路等应用， 在紧凑型设计中可有效降低温升并提高功率密度。
RQ3E150MNTB1-HXY特性
暂无产品特性。
RQ3E150MNTB1-HXY应用领域
暂无应用领域。