RQ3E150GNTB
IC
HSMT-8(3.2x3)
可供量大可议
RQ3E150GNTB
特性：低导通电阻。 高功率封装 (HSMT8)。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 无卤。 100% Rg 和 UIS 测试。 应用：开关
品牌
ROHM
封装
HSMT-8(3.2x3)
库存
394
货期
现货
RQ3E150GNTB参数
| 封装 | HSMT-8(3.2x3) |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 394 |
RQ3E150GNTB概述
特性：低导通电阻。 高功率封装 (HSMT8)。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 无卤。 100% Rg 和 UIS 测试。 应用：开关
RQ3E150GNTB特性
暂无产品特性。
RQ3E150GNTB应用领域
暂无应用领域。