RQ3E120BNTB-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
RQ3E120BNTB-HXY
该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为45A， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）低至6毫欧， 栅源电压（VGS）额定值为±20V。 凭借其低导通电阻和高电流承载能力， 适用于高效率电源转换、电池管理系统、电机控制及各类开关电路中。 器件在高频开关条件下仍能维持较低的功率损耗， 有助于提升整体系统能效与热稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
89
货期
现货
RQ3E120BNTB-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 89 |
RQ3E120BNTB-HXY概述
该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为45A， 最大漏源电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）低至6毫欧， 栅源电压（VGS）额定值为±20V。 凭借其低导通电阻和高电流承载能力， 适用于高效率电源转换、电池管理系统、电机控制及各类开关电路中。 器件在高频开关条件下仍能维持较低的功率损耗， 有助于提升整体系统能效与热稳定性。
RQ3E120BNTB-HXY特性
暂无产品特性。
RQ3E120BNTB-HXY应用领域
暂无应用领域。