RQ3E120ATTB-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为70A， 漏源击穿电压30V， 导通电阻仅6.5mΩ， 栅源电压耐受值20V。 器件适用于低压大电流开关电路、电池管理系统及直流负载控制模块。 其极低内阻显著降低导通损耗与温升， 支持高效功率切换， 广泛用于便携式设备、服务器电源及通信基础设施等对能效和空间布局有严格要求的电子应用中。