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RQ3E100GNTB
IC

HSMT-8(3x3.2)

可供量大可议

RQ3E100GNTB

1个N沟道 耐压:30V 电流:10A

品牌

ROHM

封装

HSMT-8(3x3.2)

库存

33

货期

现货

产品参数概述特性应用领域

RQ3E100GNTB参数

封装HSMT-8(3x3.2)
品牌ROHM(罗姆)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存33

RQ3E100GNTB概述

1个N沟道 耐压:30V 电流:10A

RQ3E100GNTB特性

暂无产品特性。

RQ3E100GNTB应用领域

暂无应用领域。

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