RQ3E100BNTB1-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至7.5毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源管理、电机驱动及开关电路等场景。 器件结构支持快速开关操作， 在高频应用中表现稳定， 适合需要高电流承载能力与低功耗特性的电子系统。