RQ3E100ATTB-HXY

该P沟道场效应管（MOSFET）具备55A连续漏极电流能力， 漏源击穿电压为30V， 导通电阻低至8毫欧。 低阻抗特性有效降低导通损耗与温升， 适用于电池保护电路、负载开关及电源管理模块。 其参数配置契合低压大电流应用场景， 能够支持消费电子与便携设备中的高效功率切换， 确保系统在动态负载条件下维持稳定运行与可靠性能。