RQ3E080BNTB
IC
HSMT-8
可供量大可议
RQ3E080BNTB
特性：低导通电阻。 高功率封装 (HSMT8)。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 无卤。 应用：开关
品牌
ROHM
封装
HSMT-8
库存
42
货期
现货
RQ3E080BNTB参数
| 封装 | HSMT-8 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 14W |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:30V 电流:15A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 42 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 660pF |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
| 商品型号 | RQ3E080BNTB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 8.7356e-05 |
RQ3E080BNTB概述
CPC3902是一款250V的N沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）， 采用专有的第三代垂直双扩散MOS（DMOS）工艺制造， 在经济的硅栅工艺中实现了高电压性能。 这种垂直DMOS工艺生产出的器件坚固耐用， 输入阻抗高， 适用于电源应用。 与所有MOS器件一样， 该场效应晶体管（FET）结构可防止热失控和热致二次击穿， 这使得CPC3902非常适合用于高功率应用。 CPC3902采用SOT - 223封装。
RQ3E080BNTB特性
- 低导通电阻
- 高功率封装(HSMT8)
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
RQ3E080BNTB应用领域
- 开关应用