RNCP1206FTD100K
IC
1206
可供量大可议
RNCP1206FTD100K
特性：比标准厚膜芯片具有更高的额定功率。 低至 10 ppm/°C 的 TCR。 内部终端设计可防止硫污染。 公差为 ±0.1%。 100% 符合 RoHS 标准且无铅豁免。 无卤。 符合 REACH 标准
品牌
SEI(Stackpole Electronics Inc. )
封装
1206
库存
6,760
货期
现货
RNCP1206FTD100K参数
| 封装 | 1206 |
|---|---|
| 品牌 | SEI(Stackpole Electronics Inc. ) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 贴片电阻 |
|---|---|
| 库存 | 6760 |
RNCP1206FTD100K概述
特性：比标准厚膜芯片具有更高的额定功率。 低至 10 ppm/°C 的 TCR。 内部终端设计可防止硫污染。 公差为 ±0.1%。 100% 符合 RoHS 标准且无铅豁免。 无卤。 符合 REACH 标准
RNCP1206FTD100K特性
暂无产品特性。
RNCP1206FTD100K应用领域
暂无应用领域。