RMLV0408EGSB-4S2#HA1
IC
TSOPII-32-11.3mm
可供量大可议
RMLV0408EGSB-4S2#HA1
RMLV0408E系列是一组4 Mbit静态随机存取存储器（SRAM）， 采用高性能先进低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造， 组织形式为524,288字×8位。 RMLV0408E系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。 该系列具有低功耗待机功耗， 因此适用于电池备份系统
品牌
RENESAS/IDT
封装
TSOPII-32-11.3mm
库存
5
货期
现货
RMLV0408EGSB-4S2#HA1参数
| 封装 | TSOPII-32-11.3mm |
|---|---|
| 品牌 | RENESAS(瑞萨)/IDT |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 静态随机存取存储器(SRAM) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
RMLV0408EGSB-4S2#HA1概述
RMLV0408E系列是一组4 Mbit静态随机存取存储器（SRAM）， 采用高性能先进低功耗静态随机存取存储器（LPSRAM）技术制造， 组织形式为524,288字×8位。 RMLV0408E系列实现了更高的密度、更高的性能和更低的功耗。 该系列具有低功耗待机功耗， 因此适用于电池备份系统
RMLV0408EGSB-4S2#HA1特性
暂无产品特性。
RMLV0408EGSB-4S2#HA1应用领域
暂无应用领域。