RJU6052TDPP-EJ#T2-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
RJU6052TDPP-EJ#T2-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置， 额定正向电流IF为10A， 最大反向重复电压VR达650V。 其正向压降VF为1.37V， 在高频开关应用中可有效降低导通损耗。 器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力， 适用于对能效和动态响应要求较高的电源转换及高频整流场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
24
货期
现货
RJU6052TDPP-EJ#T2-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
RJU6052TDPP-EJ#T2-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置， 额定正向电流IF为10A， 最大反向重复电压VR达650V。 其正向压降VF为1.37V， 在高频开关应用中可有效降低导通损耗。 器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）能力， 适用于对能效和动态响应要求较高的电源转换及高频整流场景。
RJU6052TDPP-EJ#T2-HXY特性
暂无产品特性。
RJU6052TDPP-EJ#T2-HXY应用领域
暂无应用领域。