RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.37V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频开关条件下展现出较低的导通损耗与快速恢复性能, 适用于高效率、高功率密度的电源转换场合, 尤其在对热稳定性和动态响应有较高要求的电路拓扑中表现突出。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
5
货期
现货
RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.37V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频开关条件下展现出较低的导通损耗与快速恢复性能, 适用于高效率、高功率密度的电源转换场合, 尤其在对热稳定性和动态响应有较高要求的电路拓扑中表现突出。
RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY特性
暂无产品特性。
RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY应用领域
暂无应用领域。
