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RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY
IC

TO-220F-2L

可供量大可议

RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.37V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频开关条件下展现出较低的导通损耗与快速恢复性能, 适用于高效率、高功率密度的电源转换场合, 尤其在对热稳定性和动态响应有较高要求的电路拓扑中表现突出。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220F-2L

库存

5

货期

现货

RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY参数

封装TO-220F-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存5

RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 具有10A的额定正向电流(IF)和650V的最大反向重复电压(VR), 典型正向压降(VF)为1.37V, 非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)可达80A。 得益于碳化硅材料的物理特性, 器件在高频开关条件下展现出较低的导通损耗与快速恢复性能, 适用于高效率、高功率密度的电源转换场合, 尤其在对热稳定性和动态响应有较高要求的电路拓扑中表现突出。

RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY特性

暂无产品特性。

RJU6052TDPP-AJ#T2-HXY应用领域

暂无应用领域。

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