RJS6004TDPP-EJ#T2-HXY
IC
TO-220F-2L
可供量大可议
RJS6004TDPP-EJ#T2-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料的特性, 具备优异的高频性能与低导通损耗, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 器件结构设计支持快速开关操作, 有助于降低系统整体能耗并提升功率密度。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220F-2L
库存
25
货期
现货
RJS6004TDPP-EJ#T2-HXY参数
| 封装 | TO-220F-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 25 |
RJS6004TDPP-EJ#T2-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)达650V, 正向压降(VF)典型值为1.37V, 在浪涌条件下可承受高达80A的非重复峰值正向电流(IFSM)。 其基于碳化硅材料的特性, 具备优异的高频性能与低导通损耗, 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。 器件结构设计支持快速开关操作, 有助于降低系统整体能耗并提升功率密度。
RJS6004TDPP-EJ#T2-HXY特性
暂无产品特性。
RJS6004TDPP-EJ#T2-HXY应用领域
暂无应用领域。
